存儲器國(guó)産化過程中的知識産權風(fēng)險日(rì)益增加，構建存儲器專利護城(chéng)河對相(xiàng)關企業來(lái)講至關重要。企業可(kě)以從(cóng)增加專利申請(qǐng)量、提高專利質量、加強與代理(lǐ)機(jī)構合作(zuò)、關注國(guó)外巨頭專利信息、适當投入新型存儲器研發并申請(qǐng)相(xiàng)關專利幾方面着手，降低存儲器在國(guó)産化道路(lù)上的知識産權風(fēng)險，構建企業專利護城(chéng)河。

近年(nián)來(lái)，由于美國(guó)貿易政策改變和國(guó)内産業升級，中美貿易沖突加劇(jù)，美國(guó)限制芯片出口的政策使得(de)國(guó)内部分(fēn)企業陷入了缺芯之境。

2020年(nián)10月29日(rì)通過的“十四五”規劃聚焦“卡脖子”工(gōng)程，《中國(guó)制造2025》中提到了包括先進存儲等在内的新一代信息技術(shù)産業。鑒于存儲器國(guó)産化道路(lù)上的知識産權風(fēng)險，本文從(cóng)知識産權保護的角度切入存儲器領域，聚焦國(guó)内存儲器行業，探討(tǎo)如(rú)何構建存儲器的專利護城(chéng)河。

存儲器作(zuò)爲數據和程序存放(fàng)的主要介質單元，目前不僅應用在各種計(jì)算機(jī)、服務器以及智能設備中，也應用在磁盤陣列和各網絡存儲系統中。随着5G、物聯網等産業的快(kuài)速深入發展，全球市場對于存儲器的需求也進一步擴大(dà)。

全球存儲器行業從(cóng)1965年(nián)開始至今，可(kě)分(fēn)爲三個發展階段：第一階段（1965-1974年(nián)）爲存儲器技術(shù)萌芽階段；第二階段（1975-2000年(nián)）爲存儲器技術(shù)初步發展階段；第三階段（2001年(nián)至今）爲存儲器技術(shù)快(kuài)速發展階段。

美國(guó)在第一階段率先投入存儲器的研究。美國(guó)IBM企業最早投入到DRAM（Dynamic Random Access Memory，即動态随機(jī)存取存儲器）産品技術(shù)研發領域，DRAM作(zuò)爲最爲常見(jiàn)的系統内存，數據保持時間較短(duǎn)。1970年(nián)，美國(guó)IBM公司宣布其将在推出的大(dà)型system/370 Model145的主内存上使用存儲新品代替磁芯。1971年(nián)，美國(guó)英特爾公司也研發出DRAM内存。同年(nián)，英特爾的DO Frohman成功研發EPROM。

日(rì)本在第二階段也開始研究存儲器。1984年(nián)，東芝公司的研發人(rén)員(yuán)首次提出閃存（Flash Memory）概念，并于1989年(nián)發布NAND Flash結構[1]。當然，在此階段，美國(guó)也未停止研發存儲器的腳步，1988年(nián)，英特爾首先研發出NOR Flash技術(shù)。

第三階段即進入21世紀後，全球高科(kē)技産業發展迅速，美日(rì)韓三國(guó)抓住了信息家電的需求特性，在全球範圍内掀起了存儲器應用的研發熱(rè)潮，且随着科(kē)技的進步，存儲器産品的可(kě)靠性不斷提高。

由于性能優異等諸多優勢，DRAM與NAND Flash成爲市場份額最大(dà)的兩種存儲器。

随着國(guó)内智能終端技術(shù)的發展，中國(guó)已經成爲存儲器的主要銷售市場，存儲器銷售額占全球存儲器銷售額的一半以上，但(dàn)上述存儲器幾乎全部依靠進口，自(zì)制率很低。并且由于存儲器被國(guó)外廠(chǎng)商高度壟斷，中國(guó)企業幾乎沒有議(yì)價能力。

随着全球化進程的推進，國(guó)家信息安全越發重要，存儲器作(zuò)爲存儲信息的介質，其重要性更是不言而喻，因此存儲器行業成爲各個國(guó)家投資的重要方向。從(cóng)2016年(nián)開始，相(xiàng)關機(jī)構先後投資的涉存儲器技術(shù)企業包括長江存儲、長鑫存儲以及福建晉華等。其中，長江存儲主要緻力于NAND Flash的研究，長鑫存儲和福建晉華主要緻力于DRAM的研究。

目前，雖然我國(guó)的存儲器企業已經奮起直追，但(dàn)由于基礎比較薄弱，其存儲技術(shù)與國(guó)外相(xiàng)比仍然存在不小的差距。在NAND Flash領域，三星和海力士已研發出了176層的3D NAND Flash，長江存儲在2020年(nián)研發出了128層的3D NAND Flash。而在DRAM領域，三星已經開始研發第四代10nm級的DRAM，長鑫存儲主要工(gōng)藝爲19nm工(gōng)藝。

在實現存儲器國(guó)産化的道路(lù)上，其面臨的知識産權風(fēng)險逐漸增大(dà)。在DRAM領域，全球專利布局已經基本完成，主要以美國(guó)、韓國(guó)和日(rì)本爲主導，相(xiàng)關技術(shù)的專利申請(qǐng)量已經達到十萬餘件(jiàn)。

而國(guó)内相(xiàng)關企業的專利布局較晚，專利申請(qǐng)量也較少。

筆者檢索了長江存儲、長鑫存儲以及福建晉華近年(nián)來(lái)在國(guó)内的專利申請(qǐng)情況後發現，長江存儲從(cóng)2017年(nián)開始申請(qǐng)專利，在存儲器方面共申請(qǐng)了1800多件(jiàn)[2]，具體(tǐ)申請(qǐng)概況見(jiàn)圖1。

 圖1 長江存儲、長鑫存儲、福建晉華總專利申請(qǐng)量

圖1顯示，上述企業在2017年(nián)申請(qǐng)了45件(jiàn)專利，2018年(nián)申請(qǐng)了228件(jiàn)，2019年(nián)申請(qǐng)了553件(jiàn)，2020年(nián)申請(qǐng)了778件(jiàn)，2021年(nián)申請(qǐng)了163件(jiàn)，由于2019-2021年(nián)的專利可(kě)能存在未公開情況，因此理(lǐ)論上其2019-2021年(nián)的申請(qǐng)量應大(dà)于上述提及的數字。

通過檢索筆者發現，長江存儲不僅在閃存方面進行了專利布局，還(hái)在DRAM上進行了布局，具體(tǐ)爲：2017年(nián)申請(qǐng)了1件(jiàn)專利，2018年(nián)申請(qǐng)了3件(jiàn)專利，2019年(nián)申請(qǐng)了10件(jiàn)專利，2020年(nián)申請(qǐng)了39件(jiàn)專利，2021年(nián)申請(qǐng)了12件(jiàn)專利。

基于上述同樣的原因，2019-2021年(nián)的申請(qǐng)量應大(dà)于上述提及的數字，具體(tǐ)見(jiàn)圖2。

圖2 長江存儲在DRAM上的專利申請(qǐng)量

而長鑫存儲主要從(cóng)2017年(nián)開始申請(qǐng)專利，具體(tǐ)情況見(jiàn)圖3。

其2017年(nián)申請(qǐng)了25件(jiàn)專利，2017年(nián)申請(qǐng)了215件(jiàn)專利，2019年(nián)申請(qǐng)了158件(jiàn)專利，2020年(nián)申請(qǐng)了213件(jiàn)專利，2021年(nián)申請(qǐng)了15件(jiàn)專利。同樣地，由于2019-2021年(nián)的專利也存在未公開情況，因此，其2019-2021年(nián)的申請(qǐng)量應大(dà)于上述提及的數字。

 圖3 長鑫存儲專利申請(qǐng)量

福建晉華于2018年(nián)開始申請(qǐng)專利，具體(tǐ)情況如(rú)圖4所示。

其2018年(nián)申請(qǐng)了24件(jiàn)專利，2019年(nián)申請(qǐng)了33件(jiàn)專利，2020年(nián)申請(qǐng)了78件(jiàn)專利，2021年(nián)申請(qǐng)了8件(jiàn)專利。同樣地，由于2019-2021年(nián)存在部分(fēn)專利未公開情況，因此，2019-2021年(nián)的申請(qǐng)量應大(dà)于上述提及的數字。

圖4 福建晉華專利申請(qǐng)量

由上述檢索結果可(kě)知，國(guó)内企業在存儲器方面的專利數量加起來(lái)也隻有數千件(jiàn)，從(cóng)體(tǐ)量上遠(yuǎn)遠(yuǎn)落後于國(guó)外，且國(guó)外企業還(hái)掌握着無法繞開的核心專利。我國(guó)存儲領域的專利體(tǐ)量較小，難以與國(guó)外企業形成交叉許可(kě)，随着技術(shù)越來(lái)越成熟，在産品逐漸推陳出新的過程中，我國(guó)企業面臨專利訴訟的風(fēng)險也越來(lái)越大(dà)。實際上，國(guó)内的存儲器企業已經曆過關聯訴訟，并且承擔了較爲嚴重的後果。

爲了更爲順利地實現存儲器的國(guó)産化，攻克“卡脖子”領域，如(rú)何規避風(fēng)險、構建專利護城(chéng)河是我國(guó)相(xiàng)關企業應當思考的問(wèn)題。筆者認爲可(kě)以從(cóng)以下幾方面考慮：

第一，進一步增加專利申請(qǐng)量。在爲自(zì)身(shēn)産品保駕護航的同時，提高我國(guó)企業在存儲器領域的話(huà)語權，減少專利訴訟的風(fēng)險，增加與國(guó)外巨頭企業交叉許可(kě)的可(kě)能性。

當然，增加申請(qǐng)量并非爲了增加數量而申請(qǐng)大(dà)量的垃圾專利，而是指在研發過程中，同步申請(qǐng)相(xiàng)關專利，盡量不放(fàng)過任何技術(shù)上的改進。并且在實際的申請(qǐng)策略上，應根據實際方案創造性的高低，合理(lǐ)布局不同類型的專利申請(qǐng)。

第二，重視專利文件(jiàn)的質量，申請(qǐng)高質量專利。高質量專利不僅能夠提高專利價值，還(hái)可(kě)以提高專利的穩定性，在專利的博弈中，産生(shēng)重要且積極的作(zuò)用。

具體(tǐ)地，由于高質量的專利文件(jiàn)一般來(lái)講是由專利代理(lǐ)師(shī)撰寫，因此，對于企業的IP人(rén)員(yuán)以及相(xiàng)關案件(jiàn)的發明人(rén)來(lái)說(shuō)，在案件(jiàn)的處理(lǐ)過程中，發明人(rén)應積極與代理(lǐ)師(shī)溝通，使代理(lǐ)師(shī)可(kě)以準确無誤地了解方案的發明點；同時，IP人(rén)員(yuán)在審核過程中，也要從(cóng)權利要求範圍、權利要求布局、權利要求條數、說(shuō)明書(shū)篇幅以及說(shuō)明書(shū)内容等方面綜合審核對應的文件(jiàn)，提高案件(jiàn)質量。

第三，加強并深化與代理(lǐ)機(jī)構的合作(zuò)。企業IP部門(mén)可(kě)以多組織代理(lǐ)師(shī)進行技術(shù)領域培訓，讓代理(lǐ)師(shī)不斷學習相(xiàng)關的技術(shù)知識，使其後續能夠更準确地了解拟申請(qǐng)方案的發明點等，從(cóng)而更好地撰寫相(xiàng)關方案。

當然，企業也可(kě)以組織研發人(rén)員(yuán)進行專利方面的培訓，提高研發人(rén)員(yuán)在專利方面的認知。具體(tǐ)地，可(kě)以邀請(qǐng)代理(lǐ)師(shī)進行聯合培訓，也可(kě)以由企業内部的IP人(rén)員(yuán)進行培訓，培訓内容包括技術(shù)交底書(shū)以及專利挖掘等方面，從(cóng)而方便研發人(rén)員(yuán)在研發過程中，順利開展相(xiàng)關專利申請(qǐng)工(gōng)作(zuò)。

第四，時刻關注國(guó)外巨頭的發展情況，适時申請(qǐng)相(xiàng)關專利。分(fēn)析研究國(guó)外巨頭在重要技術(shù)上發布的專利文件(jiàn)，尋找規避以及優化方案，并對應申請(qǐng)專利，從(cóng)而進一步降低訴訟風(fēng)險，提高交叉許可(kě)的可(kě)能性。

第五，适當投入新型存儲器的研發，并申請(qǐng)相(xiàng)關專利。随着人(rén)工(gōng)智能以及大(dà)數據等領域的發展，市場對存儲器的容量以及速度有着更高的需求，而現有主流的存儲器DRAM和NAND Flash難以滿足上述需求，新型的存儲器就(jiù)應運而生(shēng)，目前主要爲相(xiàng)變存儲器、阻變存儲器及磁阻存儲器。國(guó)外巨頭企業已經在上述新型存儲器上投入了大(dà)量研究，因此，國(guó)内企業也應适當投入研發，減小在新型存儲器領域與國(guó)外巨頭的差距。

存儲器的國(guó)産化并非一蹴而就(jiù)，在産業發展的過程中，面對國(guó)際上的激烈競争，不可(kě)避免地會面臨知識産權相(xiàng)關的法律風(fēng)險。爲此，不僅要在國(guó)家層面倡導增加技術(shù)研發投入，攻克”卡脖子“工(gōng)程，也需要企業在項目預警、專利布局、保護範圍和規避風(fēng)險等方面，與知識産權相(xiàng)關律師(shī)和代理(lǐ)師(shī)等法律專業人(rén)才共同努力，緻力于構建存儲器的知識産權護城(chéng)河。

注釋：

[1] NAND Flash是Flash存儲器的一種，具有容量較大(dà)、改寫速度快(kuài)等優點，适用于大(dà)量數據的存儲。

[2] 截至目前共檢索到1800件(jiàn)，但(dàn)由于有些專利未公開，因此實際申請(qǐng)數量應該大(dà)于1800件(jiàn)。

參考文獻：

[1]《2020年(nián)全球存儲器市場現狀情況分(fēn)析》，http://www.ofweek.com/,2020年(nián)4月12日(rì)最後訪問(wèn)。